正如我們所知，半導(dǎo)體IC清洗是IC制程中重復(fù)次數(shù)最多的工序，清洗效果的好壞會較大程度的影響芯片制程和集成電路特性等質(zhì)量問題。但就一般清洗設(shè)備而言，清洗液需要消耗大量的化學(xué)品，在拉高成本的前提下，處理不當(dāng)就會對環(huán)境造成嚴(yán)重污染。另一方面， IC制程發(fā)展逐漸趨向更高精度，清洗也因此面臨著更大挑戰(zhàn)。

“尤其需要重視的是，硫酸廢液的處理是先進(jìn)集成電路制造中的重要挑戰(zhàn)。例如在臺灣，半導(dǎo)體工廠占用了該地區(qū)硫酸總使用量的一半以上?！笔⒚腊雽?dǎo)體設(shè)備的董事長王暉說。

那么硫酸廢液是如何成了系列難題幕后的黑手？

王暉指出，追根究底，單憑槽式清洗無法滿足28nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的制程要求，因此，清洗技術(shù)逐漸從槽式清洗轉(zhuǎn)變?yōu)閱纹逑?，由此提高清洗制程效果。但這一轉(zhuǎn)變大大地增加了硫酸消耗量，使得目前對硫酸廢液的處理引發(fā)了一系列安全問題，能耗問題以及環(huán)境問題。

而在當(dāng)下，全球?qū)Νh(huán)境問題的關(guān)切日益凸顯、加上政府部門對工業(yè)廢液排放的進(jìn)一步監(jiān)管和限制，都無一不迫切要求半導(dǎo)體清洗廠商加速尋找一款既能降低化學(xué)藥液用量、又不犧牲清洗制程效果的清洗設(shè)備。

針對這一解決方案，盛美半導(dǎo)體設(shè)備在今日宣布，世界首臺槽式與單片清洗集成設(shè)備——UltraC Tahoe現(xiàn)已在全球正式商用。

據(jù)了解，Ultra C Tahoe清洗設(shè)備在單個濕法清洗設(shè)備中集成了兩個模塊。在槽式模塊中，配有硫酸雙氧水混合液（SPM）清洗與快速傾卸沖洗（QDR），SPM制程藥液在此獨(dú)立的槽式模塊中被循環(huán)使用，與單片SPM清洗相比，至少可減少80%的硫酸廢液排放。槽式清洗之后，晶圓將在濕潤狀態(tài)下，被傳至單片模塊；而單片清洗腔體可按客戶需求進(jìn)行各種制程藥液的靈活配置，同時，單片清洗腔體可配置至多4支擺臂，每支擺臂可提供至多3種制程藥液。

更值得關(guān)注的是，低交叉污染風(fēng)險(xiǎn)和優(yōu)秀的顆粒去除效果是Ultra C Tahoe的兩大清洗優(yōu)勢。

據(jù)盛美半導(dǎo)體設(shè)備客戶端商業(yè)大產(chǎn)線數(shù)據(jù)表明，30nm條件下，與傳統(tǒng)槽式SPM清洗設(shè)備相比， Tahoe清洗設(shè)備可將晶圓上的顆粒數(shù)控制從數(shù)百顆降低到十顆；此外若以每日處理兩千片晶圓為例，Tahoe清洗設(shè)備每日消耗硫酸僅不到兩百升，與單片SPM設(shè)備相比，每日可減少超過一千六百升硫酸廢液排放。

“該清洗設(shè)備優(yōu)秀的清洗效果與靈活的制程適用性可與單片晶圓清洗設(shè)備相媲美；與此同時，其硫酸的消耗量僅為單片晶圓清洗設(shè)備的數(shù)分之一?！蓖鯐煼Q。

與此同時，王暉也表示，“Tahoe清洗設(shè)備既使半導(dǎo)體工業(yè)技術(shù)路線得以繼續(xù)向下延伸，又兼顧環(huán)保問題，節(jié)省了在廢液排放上的巨大開支。”換句話說， 這的確是一款獨(dú)具自主知識產(chǎn)權(quán)且能一舉兩得的晶圓清洗設(shè)備。